买卖IC网 >> 产品目录43520 >> BSD816SN L6327 MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363 datasheet 分离式半导体产品
型号:

BSD816SN L6327

库存数量:3,000
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
BSD816SN L6327 PDF下载
标准包装 3,000
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 160 毫欧 @ 1.4A,2.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 950mV @ 3.7µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 0.6nC @ 2.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 180pF @ 10V
功率 - 最大 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装 PG-SOT363-6
包装 带卷 (TR)
其它名称 BSD816SN L6327-ND
SP000464868
相关资料
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  • BSD816SN L6327 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    3,000 0.09192 275.76
    6,000 0.082728 496.368
    15,000 0.073536 1103.04
    30,000 0.06894 2068.2
    75,000 0.061128 4584.516
    150,000 0.057456 8617.5